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初步
CY14B104L/CY14B104N
4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM
特征
15纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为512K ×8或256K ×16
放手自动
商店
在断电时，只有一个
小电容
商店
to
QuantumTrap
非易失性元件启动
通过软件，器件引脚或自动存储
在掉电
召回
通过软件或功率可达SRAM启动
无限的读，写和召回周期
8毫安典型I
CC
在200 ns的周期时间
200,000
商店
周期来
QuantumTrap
- 20年的数据保存
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商业和工业温度
FBGA和TSOP - II封装
符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14B104L / CY14B104N是一个快速静态RAM ，
与在每个存储单元的非易失性元件。内存
组织为每个8位或16的话256K 512K字
每个位。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读，
写周期，而独立的，非易失性的数据驻留在
高度可靠的QuantumTrap细胞。从数据传输
SRAM的非易失性元件（实体店经营）
自动发生在断电。上电时，数据
从恢复到SRAM （该RECALL操作）
非易失性存储器。无论是存储和调用
操作也是在软件控制下可用。
逻辑框图
V
CC
V
帽
地址
0
- A
18
CE
OE
WE
DQ0 - DQ15
CY14B104L/CY14B104N
BHE
BLE
HSB
V
SS
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07102修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月29日
[+ ]反馈
