大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅外延型晶体管
CSD545
TO-92
塑料包装
低Frequencty功放和转换器级应用。
绝对最大额定值（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号
BV
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BV
CBO
集电极 - 基极电压
BV
EBO
发射极电压
I
C
连续集电极电流
I
CM
PEAK
P
D
Colector功耗
T
j
, T
英镑
工作和存储结
温度范围
电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号测试条件
民
BV
首席执行官
I
C
=1mA,I
B
=0
集电极发射极击穿电压
25
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE （1）
h
FE （2）
*
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
BE
= 4V ，我
E
= 0
V
CE
=2V,I
C
=50mA
V
CE
=2V,I
C
=1A
25
5
1.0
1.0
560
价值
25
25
5
1
1.5
600
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
60
30
0.85
0.1
基极发射极饱和电压
集电极发射极饱和
电压
V
BE （ SAT ）
* I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE （ SAT ）
* I
C
=500mA,I
B
=50mA
1.2
0.3
V
V
电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号测试条件
民
动态特性
跃迁频率
集电极输出电容
f
T
C
ob
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
I
E
=0, V
CB
=10V
f=1MHz
典型值
最大
单位
180
15
兆赫
pF
分类
D
h
FE
(1)
60-120
*脉冲条件：宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
E
100-200
F
160-320
G
280-560
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
