NTHD4102P
功率MOSFET
-20 V， -4.1 A，双P沟道ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS （ ON）
在ChipFET包装解决方案
微型ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
薄型（ <1.1毫米）使其能够方便地融入极薄
环境，如便携式电子产品
简化了电路设计，因为附加升压电路的门
电压不需要
工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
64毫瓦@ -4.5 V
20 V
85毫瓦@ -2.5 V
120毫瓦@ -1.8 V
S
1
S
2
4.1 A
I
D
最大
优化电池和负载管理的应用
便携式设备，如MP3播放器，手机和PDA
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
G
1
G
2
D
1
D
2
P沟道MOSFET
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定状态
t
≤
10 s
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
"8.0
2.9
2.1
4.1
1.1
2.1
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
13.8
-55
150
1.1
260
A
°C
A
°C
W
单位
V
V
A
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
C7 M
G
TP = 10毫秒
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
C7 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
热电阻额定值
参数
结到环境，稳态（注1 ）
结到环境，叔
≤
10秒（注1 ）
R
qJA
符号
最大
113
60
单位
° C / W
订购信息
设备
NTHD4102PT1
NTHD4102PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4102P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版5
