CMPTA14E
增强规范
表面贴装NPN
硅达林顿晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中环半导体CMPTA14E是
在CMPTA14 NPN增强版
达林顿晶体管。该装置是
通过外延平面工艺制造的
环氧树脂成型为表面贴装的SOT-23
包，专为需要的应用
非常高的增益。
标识代码： C1NE
功能增强的规格：
BVCBO从30V分钟至40V分钟。
SOT- 23 CASE
最大额定值
（ TA = 25 ° C）
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
符号
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
VCE （ SAT）从最高1.5V至1.0V最大。
的hFE从10K分钟30K分钟。
单位
40
40
10
500
350
-65到+150
357
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
VCB=40V
VEB=10V
IC=100A
IC = 100mA时IB = 0.1毫安
VCE = 5.0V ， IC =百毫安
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=10mA
IC=100mA
IC=500mA
IC = 10毫安中，f = 100MHz的
40
60
0.75
30,000
40,000
10,000
125
70,000
75,000
35,000
兆赫
1.0
2.0
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
ICBO
IEBO
BVces
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
加强规范。
额外的增强规范。
R4 （2003年20月）
