EMX4 / UMX4N / IMX4
晶体管
高转换频率（双晶体管）
EMX4 / UMX4N / IMX4
特点
1 ）两个2SC3837K芯片在EMT或UMT或SMT封装。
2）高的过渡频率。 （F
T
=1.5GHz)
3 ）低输出电容。 （COB = 0.9pF ）
外形尺寸
（单位：毫米）
EMX4
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
等效电路
EMX4 / UMX4N
(3)
(2)
(1)
IMX4
(4)
(5)
(6)
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
UMX4N
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(4)
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
(6)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
1.25
2.1
0.15
(1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX4 / UMX4N
IMX4
0~0.1
0.1Min.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
30
20
3
50
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
IMX4
(6)
每根导线具有相同的尺寸
0.3
(5)
(4)
1
2
0.15
1.6
2.8
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
0.3Min.
0~0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX4
EMT6
X4
T2R
8000
UMX4N
UMT6
X4
TR
3000
IMX4
SMT6
X4
T108
3000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
集电极 - 基极时间常数
噪声系数
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
COB
RBB '抄送
NF
分钟。
30
20
3
27
600
典型值。
1500
0.95
6
4.5
马克斯。
0.5
0.5
270
0.5
1.6
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
ps
dB
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=2V
条件
V
CE
/I
C
=10V/10mA
I
C
/I
B
=20mA/4mA
V
CE
/I
E
= 10V / -10mA ，
f=200MHz
V
CB
/ F = 10V / 1MHz时，我
E
=0A
V
CB
=10V,
I
C
=10mA
， F = 31.8MHz
V
CE
=12V,
I
C
=2mA
中，f = 200MHz的， RG = 50Ω
(3)
(2)
(1)
0.7
Rev.A的
0.9
2.0
(5)
(2)
1/3
