STD3N30
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
STD3N30
s
s
s
s
s
V
DSS
300 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.4
I
D
3A
s
s
典型
DS （ ON）
= 1.1
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
面向应用
表征
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
1
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
2
1
DPAK
TO-252
3
（后缀“ T4 ” ）
应用
s
高速开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
电机控制，音频放大器
s
工业激励器
s
DC-DC & DC-AC转换器
电信，工业和消费类
环境
s
特别适合于
电子荧光灯
块石
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
300
300
±
20
3
2
12
50
0.4
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年12月
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