S DM4435
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
20
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
20
16
12
8
4
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15 20
25
30
35
40
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
10
R
D
O
S
(
L
N)
im
it
10
10
0m
ms
s
1
1s
DC
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
