MC14049UB
六角缓冲器
该MC14049UB六反相器/缓冲器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这种互补MOS器件的主要发现
其中，使用低功耗和/或高抗噪性
所需。只使用一个器件提供逻辑电平转换
电源电压，V
DD
。在输入信号的高电平（V
IH
）可以超过
V
DD
电源电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL
负载可以当装置被用作CMOS到TTL / DTL被驱动
转换器（V
DD
= 5.0 V, V
OL
v
0.4 V，I
OL
≥
3.2毫安） 。需要注意的是引脚
13和16内部没有连接该设备上;所以
连接到这些端子也不会影响电路操作。
特点
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记号
图表
16
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC14049UBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
14
049U
ALYW
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
MC14049UB
ALYW
14049U
AWLYWW
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
符合JEDEC规格UB
V
IN
可以超过V
DD
改进的ESD保护所有输入
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围
（ DC或瞬态）
输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入电流
每个引脚（ DC或瞬态）
输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包（注1 ）
塑料
SOIC
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
+45
单位
V
V
V
mA
mA
mW
825
740
-55到+125
-65到+150
260
°C
°C
°C
T
A
T
英镑
T
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.温度降额：全部包：参见图4 。
该器件包含电路，以防止损坏，由于高投入
引用于V静电电压或电场
SS
脚，只。额外的预防措施
必须注意避免任何电压低于额定的最大应用更高
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，范围V
SS
v
V
in
v
18 V和V
SS
v
V
OUT
v
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
出版订单号：
MC14049UB/D
