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MCP1700
6.3
稳压器
T
J
= T
JRISE
+ T
A（最大值）
T
J
= 90.2°C
最大封装功耗为+ 40°C
环境温度
SOT- 23 （ 230.0 ° C /瓦= Rθ
JA
)
P
D（最大）
= （ 125°C - 40°C） / 230 ° C / W
P
D（最大）
= 369.6毫瓦
SOT- 89 （ 52 ° C /瓦= Rθ
JA
)
P
D（最大）
= （ 125°C - 40°C） / 52 ° C / W
P
D（最大）
= 1.635瓦
TO- 92 （ 131.9 ° C /瓦= Rθ
JA
)
P
D（最大）
= （ 125°C - 40°C） / 131.9 ° C / W
P
D（最大）
= 644毫瓦
内部功耗，结温升高，
结温与最大功率耗散
计算在下面的例子。电源
耗散，地电流的结果，是小
到可以忽略。
6.3.1
包
功耗示例
封装类型= SOT- 23
输入电压
V
IN
= 2.3V至3.2V
LDO的输出电压和电流
V
OUT
= 1.8V
I
OUT
= 150毫安
最高环境温度
T
A（最大值）
= +40°C
内部功耗
内部功耗LDO的产品
输出电流乘以LDO电压
(V
IN
到V
OUT
).
P
LDO （MAX）
= (V
IN （MAX）
- V
OUT （分钟）
） ×1
输出（最大）
P
LDO
= （ 3.2V - （ 0.97个1.8V ） ）× 150毫安
P
LDO
= 218.1毫瓦
6.4
参考电压
器件的结温升高
内部结温上升的函数
内部功耗和热阻
从结点到环境的应用程序。热
从结点到环境电阻（ R
JA
）导出
从测量热的EIA / JEDEC标准
电阻小的表面贴装封装。在EIA /
JEDEC规格JESD51-7 ， “高效
导热系数测试板的引线型表面
贴装封装“ 。该标准描述了测试
方法和电路板的规格，用于测量
从结点到环境的热阻。实际
对于特定的应用可以变化的热阻
这取决于许多因素，如铜的面积和
厚度。请参阅AN792 ， “方法确定
多大的权力，采用SOT- 23可以在消散
有关详细信息，关于申请“ （ DS00792）可以获得
这一主题。
T
J（下RISE ）
= P
总
X RQ
JA
T
JRISE
= 218.1毫瓦X 230.0
°
C /瓦
T
JRISE
= 50.2
°
C
MCP1700是可以不使用只是作为一个监管机构，但
还可以用作低静态电流电压基准。在
许多单片机应用中，初始精度
参考可以使用生产测试校准
设备或通过使用一个比测量。当
初始精度被校准，则热稳定性和
行规的公差是引入的误差只有
由MCP1700 LDO 。低成本，低静态
目前，小型陶瓷输出电容都
当使用MCP1700作为电压的优点
参考。
比例参考
1 μA偏置
C
IN
1 F
MCP1700
V
IN
V
OUT
GND
C
OUT
1 F
PIC
微控制器
V
REF
ADO
AD1
桥传感器
图6-2：
基准电压源。
使用MCP1700作为
6.5
脉冲负载应用
结温估计
为了估计内部结温，
计算得到的温升加上环境温度或
偏移温度。对于这个例子，在最坏情况下的
下面的结温估计。
对于某些应用，有负载电流脉冲
可能超过指定250毫安事件
MCP1700的最大规格。内部
MCP1700的电流限制可以防止高峰
从造成不可恢复的破坏荷载的要求。
250 mA是最大连续
投资评级。只要平均电流不超过
250毫安，更高的脉冲负载电流可以被施加到
在MCP1700
.
典型的电流限制为
MCP1700是550毫安（T
A
+25°C).
DS21826B第14页
2007 Microchip的技术公司
