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MMSZ4678ET1系列
典型特征
1000
C,电容(pF )
0 V BIAS
1 V BIAS
100
偏压
Ⅴ的50%的
Z
10
T
A
= 25°C
1000
I R ,漏电流(
m
A)
100
10
1
0.1
+150°C
0.01
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
,额定齐纳电压( V)
80
90
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
100
0.00001
图7.典型电容
100
I Z ,齐纳电流(mA)
I Z ,齐纳电流(mA)
T
A
= 25°C
10
100
图8.典型漏电流
T
A
= 25°C
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压(V)
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压(V)
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V )
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
t
P
t
r
图10.齐纳电压与稳压电流
( 12 V至91 V)
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
吨,时间( ms)的
图11. 8
×
20
ms
脉冲波形
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