MMSZ2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
V
Z1
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT1
= 2毫安
民
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
喃
27
30
33
36
39
43
47
51
56
最大
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
W
80
80
80
90
130
150
170
180
200
Z
ZT1
（注8）
V
Z2
（伏）
（注6及7 ）
@ I
ZT2
- 0.1毫安
民
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
Z
ZT2
（注8）
@ I
ZT2
=
0.5毫安
W
300
300
325
350
350
375
375
400
425
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
设备
MMSZ27T1
MMSZ30T1*
MMSZ33T1
MMSZ36T1*
MMSZ39T1*
MMSZ43T1*
MMSZ47T1
MMSZ51T1*
MMSZ56T1
设备
记号
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Z1
Z2
Z3
Z4
6中所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
7.宽容和电压型号：齐纳电压（V
Z
）是衡量申请PW = 1毫秒的齐纳电流。
8. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ） ，
与AC频率= 1千赫。
的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用10000 /磁带&卷轴。
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