ISL8488E ， ISL8489E ， ISL8490E ， ISL8491E
典型性能曲线
接收器输出（ V）
V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ;除非另有规定。
驱动器输入（ V）
接收器输出（ V）
R
差异
= 54Ω, C
L
= 100pF的
DI
5
0
5
RO
0
驱动器输入（ V）
R
差异
= 54Ω, C
L
= 100pF的
DI
5
0
5
RO
0
驱动器输出（ V）
驱动器输出（ V）
4
Z
3
2
1
0
时间（为20ns /格）
Y
4
3
2
1
0
时间（为20ns /格）
Y
Z
图16.驱动器和接收波形，
从低到高（ ISL8490E / ISL8491E ）
图17.驱动器和接收波形，
前高后低（ ISL8490E / ISL8491E ）
模具特点
衬底电位（电） ：
GND
晶体管数量：
518
过程：
姒尜特的BiCMOS
11
FN6073.4
2007年7月26日
