ISL6567
大小的跟踪互连与信号相称
他们携带。使用窄（ 0.005 “至0.008 ” ）和短
迹线为高阻抗，小信号连接，例如
作为反馈，补偿，软启动，频率设定，
启用，参考轨道等从IC到布线迹线
MOSFET的栅极和源极应宽（ 0.02 “到
0.05 “ ）和短，包围面积最小可能的。
开头和下MOSFET的导通的端
间隔分别。
I
OUT
I
PP
I
OUT
I
P
LMOS 2
=
V
D
(
ON
)
f
S
------------- + --------
t
-
d1
+
------------ – --------
t
d2
-
PP
-
2
2
2
2
元件选择指南
MOSFET的
MOSFET的选择紧紧围绕
当前各MOSFET的要求进行，切换
的特性，设备的能力来散热，
以及可用的散热特性。自
该ISL6567驱动的MOSFET与5V信号时，
选择适当的MOSFET应做
比较和评估它们的特性，在该特定
V
GS
偏置电压。以下各段寻址
MOSFET功耗忽略的驱动损失
与栅极电阻相关联。
在直通保护的激进的设计
电路中， ISL6567输出驱动器的一部分，是面向
减少上层的导通之间的死区时间
和下侧的MOSFET /秒。短deadtimes ，加上
强上拉和下拉输出设备驱动
UGATE和LGATE引脚使ISL6567最适合
驱动低栅极电阻（R
G
） ，晚一代MOSFET 。如果
采用的MOSFET与额定栅极电阻
多余1-2Ω的，检查电路的正常工作。几个
用于合适的MOSFET的例子（非排他性列表）
在ISL6567应用包括D8 （及更高版本）的产生
瑞萨与英飞凌的OptiMOS2线。沿
在同一行，利用栅极电阻不鼓励，因为
他们可能会干扰刚才提到的电路。
较低的MOSFET功率计算
由于所有的低的MOSFET中的热损失是
传导损耗（由于电流通过进行
沟道电阻R
DS （ ON）
） ，快速逼近热
耗散在较低的MOSFET可以在被发现
下面的等式：
2
I
L
,
PP
(
1
–
D
)
I
OUT
2
-
P
LMOS1
=
r
DS
(
ON
)
------------
(
1
–
D
)
+ -------------------------------
-
12
2
上述等式假设通过的电流下
MOSFET始终为正;如果是的话，则总功率耗散
在每个下MOSFET是由数的总和近似
P
LMOS1
和P
LMOS2
.
上MOSFET功率计算
除了与R
DS （ ON）
损耗，上层的很大一部分
MOSFET的损耗是开关损耗，由于电流
通过该装置，而在输入电压进行
目前为V
DS
。上MOSFET损耗可分为
分开的部件，分离上层的MOSFET
开关损耗，较低的MOSFET的体二极管的反向
恢复电荷损失，以及上部MOSFET
DS （ ON）
导通损耗。
在最典型的电路中，当上部MOSFET关断时，它
继续进行的输出的降低分数
如在相节点的电压低于电感器电流
地面上。一旦下MOSFET管开始导通（通过其
体二极管或增强信道）中的电流
上MOSFET减小到零。在以下等式中，
用于该换向所需的时间为t
1
和
相关联的功率损耗为P
UMOS,1
.
I
OUT
I
L
,
PP
t
1
P
UMOS
,
1
≈
V
IN
------------- + ------------
----
f
S
-
2
2
N
类似地，上部MOSFET开始就进行
它开始打开。假设电感电流是在
正域，上部MOSFET认为大致
输入电压跨越其漏极及源极端子施加
同时导通，开始导通，电感电流。
发生这种转变在时间t
2
和近似
中的功率损耗为P
UMOS,2
.
I
OUT
I
L
,
PP
t
2
P
UMOS
,
2
≈
V
IN
------------- – ------------
----
f
S
-
2
2
N
其中：I
M
是最大连续输出电流I
L， PP
is
峰 - 峰值电感器电流，而D为占空比
（近似V
OUT
/V
IN
).
一个附加项可以被加入到较低的MOSFET损耗
方程来解释过程中累积的额外损失
当电感电流流过的死区时间
低级 - MOSFET的体二极管。这个术语是依赖于
在I二极管的正向电压
M
, V
D（上）
;开关
频率f
S
;和死区时间的长短，T
d1
和T
d2
在
第三部分涉及的低端MOSFET的反接
恢复电荷，Q
RR
。由于较低的MOSFET的体
二极管导通的全电感电流之前，它已经完全
切换到上部MOSFET ，上部MOSFET具有向
提供关闭下MOSFET的所需的电荷
体二极管。该电荷通过上进行
MOSFET的对面车辆，电力消耗，结果，
P
UMOS,3
可以近似为：
P
UMOS
,
3
=
V
IN
Q
rr
f
S
23
FN9243.2
二〇〇七年三月二十日
