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布局实践
7.4估计使用仿真
当电路板温度不知道，需要应用程序的热模拟。简单的双电阻
模型可以与应用程序[2]，或更精确和复杂的模型的热仿真中使用
可以在热模拟中使用包。
7.5实验测定
确定器件的结温在应用程序的原型可用后，热
特性参数（ Ψ
JT
）可以被用来确定与所述测量结温
温度在使用以下等式的包壳的顶部中心：
T
J
= T
T
+ (Ψ
JT
×
P
D
)
其中：
Ψ
JT
=热特性参数
T
T
=在封装顶部热电偶温度
P
D
=功率耗散封装
热特性参数是每使用40计T型JESD51-2 JEDEC规范的测量
热电偶用环氧树脂粘合到封装壳体的顶部中心。热电偶的位置应使得
热电偶结点在于在所述封装。少量环氧树脂被放置在热电偶结点和
丝的1mm以上从结延伸的。热电偶导线放在平贴在包装盒到
避免因冷却热电偶导线的作用的测量误差。
7.6参考
半导体设备和材料国际
805东中部连接的视场路。
山景， CA 94043
MIL- SPEC和EIA / JESD （ JEDEC ）特定网络阳离子
（可从全球工程文档）
JEDEC特定网络阳离子
(415) 964-5111
800-854-7179或
303-397-7956
http://www.jedec.org
1. CE普雷特和B乔伊纳， “ 272 PBGA内的汽车的实验表征
发动机控制器模块， “ SemiTherm ，圣地亚哥， 1998年，第47-54论文集。
2. B.木和五·亚当斯， “测量与仿真结到电路板的热阻及
在热建模中的应用， “ SemiTherm ，圣地亚哥， 1999年，第212-220论文集。
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布局实践
每个V
DD
引脚上的MPC860应提供一个低阻抗路径板的供应。每个GND引脚
同样应当具有低阻抗接地路径。电源引脚驱动不同的群体
逻辑芯片上。在V
DD
电源应采用旁路至少四个0.1 μF旁路电容到地
位于尽可能接近到封装的四个侧面。电容器引线及相关印刷电路走线
连接到芯片V
DD
和GND应保持在每个电容的引线不到半英寸。四层板
采用两个内层为V
CC
和GND平面建议。
MPC860系列硬件规格，版本7
飞思卡尔半导体公司
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