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ISL43210
详细说明
该ISL43210双向，单SPDT模拟开关
提供精确的开关能力从单一的2.7V至12V
供给与低导通电阻（ 19Ω ）和高速
操作（T
ON
= 28ns ，T
关闭
= 20ns的） 。该装置是特别
非常适合便携式电池供电设备的感谢
低工作电压（ 2.7V ） ，低功耗
消耗量（ 5μW ） ，低泄漏电流（ 3nA的最大值） ，并在
小型SOT -23封装。高频率的应用也
宽带宽好处音响吨，和非常高的离
孤立排斥反应。
电源注意事项
该ISL43210建筑是典型的最CMOS模拟
开关，所不同的是它们只有两个电源脚： V +和
GND 。 V +和GND驱动内部CMOS开关和
设置自己的模拟电压限制。不同于开关与13V
最大电源电压下， ISL43210 15V最大
电源电压提供了充足的空间为10 ％容差
12V用品，以及房间的过冲和噪声
尖峰。
推荐的最小电源电压为2.7V 。这是
重要的是要注意，在输入信号范围内，开关次数
和导通电阻的降低在较低的电源电压。参考
“电气规范”表开始的第5页
和“典型性能曲线”开头的第9页
详细信息。
V +和GND同时供电的内在逻辑和电平转换器。
电平移位器将输入的逻辑电平来切换V +的
和GND信号驱动模拟开关的栅极端子。
此装置不能与双极性电源供电，
因为输入切换点变成负值在本
配置。
电源排序和过电压保护
任何CMOS器件，适当的电源排序是
以防止过大的输入电流的器件所需的
这可能会永久损坏IC 。所有的I / O引脚包含
ESD保护二极管从引脚到V +和GND
（参见图8） 。为了防止正向偏置这些二极管，V +
之前所有的输入信号必须应用，并且输入信号
电压必须保持在V +和GND 。如果这些
条件不能保证，则执行下列操作之一
两种保护方法应该被采用。
逻辑输入端可以很容易地通过将1kΩ的被保护
电阻器串接在输入端（见图8） 。电阻
限以下，产生阈值的输入电流
永久性的损害，以及子微安输入电流
生产过程中正常的一个很小的电压降
操作。
增加一个串联电阻的开关输入击败
使用低R的目的
ON
开关，因此两个小信号
二极管可以串联附加了电源引脚，以提供
所有引脚过压保护（见图8） 。这些
额外的二极管在1V限制模拟信号低于V +到
1V以上GND 。低漏电流性能
不受此方法，但开关电阻可
增加，特别是在低电源电压。
可选保护
二极管
V+
可选
保护
电阻器
IN
X
V
NO
OR
NC
V
COM
逻辑电平阈值
此开关是TTL兼容（ 0.8V至2.4V ）以上供应
3V至11V的范围内（参见图15）。在12V的V
IH
水平
2.5V左右。这仍是保证高的TTL以下
2.8V输出的最低水平，但噪声容限降低。
对于一个12V电源最佳效果，请使用逻辑系列的
提供了一个V
OH
大于3V 。
数字输入级吸取的电源电流每当
数字输入电压不是在电源轨之一。驾驶
从GND与快速转换的数字输入信号， V +
时的功耗降至最低。
高频表现
在50Ω系统中，信号的反应是相当平坦，甚至过去
300MHz的（参见图16） 。图16还示出了
频率响应是在很宽的V +的范围非常一致，
和用于改变模拟信号电平。
一个开关的作用就像一个电容和高通
频率的衰减较小，从而导致信号
从开关的输入到其输出馈通。关断隔离是
耐这个馈通。图17详细介绍了高
本部分提供关断隔离排斥。在10MHz ，关
隔离是关于50分贝在50Ω系统，减少
每十年提供大约20dB的频率增加。
较高的负载阻抗减小关断隔离抑制因
到的开关关断阻抗分压器作用
和负载阻抗。
GND
可选保护
二极管
图8.过电压保护
泄漏的注意事项
反向ESD保护二极管内部连接
之间的每个模拟信号引脚和两个V +和GND 。一
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FN6563.2
二○○七年十月三十〇日
