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IS61LV10248
1M ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间:
如图8所示, 10纳秒
高性能,低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
OE
选项
CE
掉电
全静态操作:无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
??可用的软件包:
- 48球miniBGA (9毫米X 11毫米)
- 36球miniBGA (9毫米X 11毫米)
- 44引脚TSOP ( II型)
无铅可
ISSI
2006年4月
描述
ISSI
IS61LV10248是一个非常高速,低功耗,
1M字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV10248是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术,产生了更高的性能和
低功耗设备。
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
该IS61LV10248采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV10248可提供48小球BGA , 36球
微型BGA和44引脚TSOP ( II型)封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1M ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息,产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
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集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
04/13/06
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