位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第510页 > IDT723654L12PF > IDT723654L12PF PDF资料 > IDT723654L12PF PDF资料1第3页

IDT723654 / 723674分之723664 CMOS SyncBiFIFO
TM
具有总线匹配
2048 ×36× 2 4096 ×36× 2和8192 ×36× 2
商业级温度范围
各端口之间的通信可以经由两个邮箱绕过FIFO的
寄存器。邮箱注册“宽度相匹配所选端口B总线宽度。
每个邮箱寄存器都有一个标志( MBF1和
MBF2)
信号当新邮件
已被存储。
两种复位可以用这些FIFO :主复位和部分
复位。主复位初始化的读取和写入指针,以所述第一位置
存储器阵列,配置FIFO的BIG-或little-endian字节
安排并选择序列标志编程,并行编程的标志,
或五种可能的默认标志偏移设置, 8 , 16 , 64 , 256或1024。那里
两个主复位引脚,
MRS1
和
MRS2.
部分复位还设置了读写指针的第一位置
内存。与主复位,任何现有的设置之前,部分复位(即,
编程方法和部分标志默认偏移量)将被保留。部分复位
因为它允许在FIFO存储器的冲刷而无需改变任何有用
配置设置。每个FIFO有自己独立的部分复位引脚,
PRS1
和
PRS2.
两个FIFO中的已重传的能力,当重发执行上
一各自的FIFO仅读出指针被复位到第一存储器位置。一
重发是通过使用重发模式进行的,结合的RTM销
与重传销
RT1
or
RT2,
对于每个相应的FIFO中。需要注意的是
2重发销
RT1
和
RT2
被多路复用的部分复位引脚。
这些设备具有两种操作模式:在
IDT标准模式,
该
写入到一个空的FIFO的第一个字被存入存储器阵列。读
是必需的操作来访问字(以及所有其他词驻留
在存储器中) 。在
第一个字告吹模式
( FWFT ) ,第一个字写
一个空的FIFO自动出现在输出端,没有读操作
必需的(不过,随后访问的话确实必要一
正式的读请求) 。的BE / FWFT引脚在主复位状态
确定所使用的模式。
这些设备具有两种操作模式:在
IDT标准模式,
该
写入到一个空的FIFO的第一个字被存入存储器阵列。读
是必需的操作来访问字(以及所有其他词驻留
在存储器中) 。在
第一个字告吹模式
( FWFT ) ,所述第一长字
( 36位宽)写入FIFO为空自动出现在输出端,没有
是必需的读操作(但是,访问后续字确实
必要正式的读请求) 。的BE / FWFT引脚FIFO中的状态
操作确定所使用的模式。
每个FIFO有一个组合的空/输出就绪标志( EFA / ORA和
EFB /
ORB )和联合全/输入准备好标志( FFA / IRA和
FFB / IRB ) 。
该
EF
和
FF
功能都在IDT标准模式中选择。
EF
指示
FIFO存储器是否为空。
FF
示出存储器是否是
充分与否。和OR功能在第一个字中选择的IR告吹
模式。红外光谱表明FIFO中是否有可用的存储器位置。
或示出的FIFO是否有数据可用于读出或没有。这标志着
存在于所述输出有效数据。
每个FIFO具有可编程几乎空标志( AEA和
AEB )
AND A
可编程几乎满标志( AFA和
AFB) 。 AEA
和
AEB
指示何时
词语的选择数目保持在FIFO存储器。
AFA
和
空军基地
表明
当FIFO中包含多个词的所选择的号码。
FFA / IRA , FFB / IRB ,亚洲电影大奖
和
空军基地
是两阶段同步到端口
时钟将数据写入到它的数组。
EFA / ORA , EFB / ORB , AEA
和
AEB
是
两阶段同步的端口的时钟,从它的阵列读取数据。
可编程偏移
AEA , AEB , AFA
和
空军基地
使用加载在并行
A口或通过SD串行输入。还提供了五个默认偏移设置。
该
AEA
和
AEB
阈值可以被设定为8,16, 64 , 256或1024的位置
从空边界和
AFA
和
空军基地
阈值可以被设定为8,16,
64 , 256或1024的位置从完整的边界。所有这些选择都做
在主复位使用FS0 , FS1和FS2的投入。
穿插平价也可以在先进先出的主复位期间选择。
如果选择奇偶穿插在随后的标志并行编程
偏移值,该设备将忽略数据线A8 。如果不穿插奇偶校验是
然后选择数据线A8将成为一个有效位。
两个或多个设备,可以并行地使用,以创建更宽的数据路径。如果,
在任何时候,在FIFO没有积极地执行功能,该芯片将
自动关机。在断电状态下,电源电流
消费(我
CC
)为最小。启动任何操作(通过激活控制
输入)将立即停止设备的的掉电状态。
该IDT723654 /七十二万三千六百七十四分之七十二万三千六百六十四从0℃下,其特征为操作
至70℃ 。工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )是可用的。他们是
制作采用IDT的高速,亚微米CMOS技术。
3