IDT71P74204 （ 2M ×8位） ， 71P74104 （ 2M ×9位） ， 71P74804 （ 1M ×18位） 71P74604 （ 512K ×36位）
超前信息
18 MB QDR II SRAM突发的4
商业级温度范围
DC电气特性在工作温度和
电源电压范围
(V
DD
= 1.8 ± 100mV的，V
DDQ
= 1.4V至1.9V ）
PARAM ETER
INP UT乐akag ê Curre新台币
OUTP UT乐akag ê Curre新台币
SYM BOL
I
IL
I
OL
测试条件
V
DD
= M AX V
IN
= V
SS
到V
DD Q
OUTP UT DISAB乐
333M
Z
欧普ê评级Curre新台币
（ X36 ， X18 ， X 9 ，X 8 ） ： DDR
V
DD
= M AX ，
I
UT
= 0米A（ UTP UTS O·P简）
CYC乐添ê >吨
KH
米
300M
Z
250M
Z
300M赫兹
167M赫兹
333M
Z
德副德发E乐CTE D（ NOP中的状态）
I
UT
= 0米A（ UTP UTS O·P简）
F = M AX ，
所有INP UTS <0.2V或> V DD -0.2V
300M
Z
250M
Z
200M赫兹
167M赫兹
OUTP UT几点措施武LTAG ê
OUTP UT斯达康罗瓦特武LTAG ê
OUTP UT几点措施武LTAG ê
OUTP UT斯达康罗瓦特武LTAG ê
V
H1
V
OL1
V
H2
V
OL2
RQ = 250Ω ，我
OH
= -15M一
RQ = 250Ω ，我
OL
= 15毫安
I
OH
= -0.1m一
I
OL
= 0.1米一
民
-10
-10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD Q
/2-0.12
V
DD Q
/2-0.12
V
DD Q
-0.2
V
SS
最大
+10
+10
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
V
DD Q
/2+0.12
V
DD Q
/2+0.12
V
DD Q
0.2
V
V
V
V
3,7
4,7
5
6
6111 TB升10℃
单位
A
A
记
I
DD
mA
1
站在B Y形Curre NT： NOP
I
S B1
mA
2
注意事项：
1.工作电流的测量是在100％的总线利用率。
2.待机电流只有在所有待定读取和写入突发操作完成。
3.输出是阻抗控制。我
OH
= -(V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5 ），由器件特性为175Ω < RQ < 350Ω保证。这
参数是在RQ = 250Ω ，这给出了一个标称50Ω输出阻抗测试。
4.输出是阻抗控制。我
OL
= (V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5 ），由器件特性为175Ω < RQ < 350Ω保证。这
参数是在RQ = 250Ω ，这给出了一个标称50Ω输出阻抗测试。
5.取该测定，以确保输出具有拉至V的能力
DDQ
轨，并且不旨在用作
阻抗测量点。
6.取该测定，以确保输出具有拉至V的能力
ss
和不旨在用作阻抗
测量点。
7.可编程阻抗模式。
6.42
11
