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E2G0110-18-42
半导体
MSM5116800C
半导体
这个版本： 1998年4月
MSM5116800C
e
Pr
LIM
y
ar
in
2,097,152-Word
8位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM5116800C是2,097,152字
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116800C实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM5116800C是一个28引脚塑料SOJ或28引脚塑料TSOP可用。
特点
2,097,152字
8位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 4096次/ 64毫秒
快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项：
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
（产品： MSM5116800C - xxJS ）
28引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII28 -P- 400-1.27 -K）个（产品： MSM5116800C - xxTS -K）个
（ TSOPII28 -P- 400-1.27 -L ）（产品： MSM5116800C - xxTS -L）的
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5116800C-50
MSM5116800C-60
MSM5116800C-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
110纳秒
130纳秒
550毫瓦
495毫瓦
440毫瓦
5.5毫瓦
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