E2G0014-17-41

半导体

MSM511664C/CL

半导体

这个版本： 1998年1月

MSM511664C/CL

上一版本： 1997年5月

65,536-Word

16位动态RAM ：快速页面模式类型（字节写入）

描述

该MSM511664C / CL是65536字

16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS

技术。该MSM511664C / CL实现高集成，高速运行和低功耗

由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层

金属的CMOS工艺。该MSM511664C / CL是一个40引脚塑料SOJ或四十〇分之四十四引脚塑料可

TSOP 。该MSM511664CL （低功率版）是专为低功耗应用。

特点

65536字

16位配置

5 V单电源供电，

±10%

公差

=输入

： TTL兼容，低输入电容

输出： TTL兼容，三态

刷新： 256次/ 4毫秒， 256次/ 32毫秒（ L-版）

字节写操作和快速页面模式下，读 - 修改 - 写功能

CAS

前

RAS

刷新，刷新隐藏，

RAS-只

刷新功能

封装选项：

40引脚400密耳的塑料SOJ

(SOJ40-P-400-1.27)

（产品： MSM511664C / CL- xxJS ）

40分之44引脚400密耳的塑料TSOP

（ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM511664C / CL- xxTS -K ）

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

MSM511664C/CL-60

MSM511664C/CL-70

MSM511664C/CL-80

访问时间（最大值）。

t

RAC

t

AA

t

CAC

t

OEA

60纳秒30纳秒20纳秒20纳秒

70纳秒40纳秒25纳秒25纳秒

80纳秒45纳秒30纳秒30纳秒

周期

功耗

（分）

操作（最大）待机（最大）

110纳秒

120纳秒

135纳秒

550毫瓦

495毫瓦

440毫瓦

5.5毫瓦/

1.1毫瓦（ L-版）

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