半导体
交流特性（ 2/2 ）
MSM518200
(V
CC
= 5伏±10 ％以下，Ta = 0℃至70℃ ）注1 ，2，3 ，11，12
参数
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间从
RAS
WRITE命令的脉冲宽度
OE
命令保持时间
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据中设置时间
数据保持时间
数据在从保持时间
RAS
OE
到数据中的延迟时间
CAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
RAS
to
WE
延迟时间
CAS
预充电
WE
延迟时间
CAS
从积极的延迟时间
RAS
预充电
RAS
to
CAS
建立时间（ CAS前
RAS ）
RAS
to
CAS
之前保持时间（ CAS
RAS ）
MSM518200 MSM518200 MSM518200
-60
-70
-80
单位注
符号
分钟。
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
OEH
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
OED
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CPWD
t
RPC
t
企业社会责任
t
CHR
0
10
45
10
15
15
15
0
15
50
15
40
55
85
60
10
10
20
10
10
10
20
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
0
15
55
10
20
20
20
0
15
55
20
50
65
100
70
10
10
20
10
10
10
20
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
0
15
60
10
20
20
20
0
15
60
20
50
70
110
75
10
10
20
10
10
10
20
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
9
9
9, 14
13
13
14
15
10, 13
10, 13
9, 13
13
WE
to
RAS
预充电时间（ CAS前
RAS ）
t
WRP
WE
从保持时间
RAS
前（ CAS
RAS ）
t
WRH
t
WTS
RAS
to
WE
建立时间（测试模式）
RAS
to
WE
保持时间（测试模式）
t
WTH
7/17
