FEDD51V17800F-01
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半导体
MSM51V17800F
2,097,152-Word
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8位动态RAM ：快速页面模式类型
这个版本：一月。 2001年
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描述
该MSM51V17800F是2,097,152字
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8位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V17800F实现高集成，高速运行，和低
功耗，因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM51V17800F是一个28引脚塑料SOJ或28引脚塑料TSOP可用。
特点
2,097,152-word
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8位配置
3.3V单电源供电，
±0.3V
公差
输入： LVTTL兼容，低输入电容
输出： LVTTL兼容，三态
刷新： 2048次/ 32ms的
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
套餐
(
SOJ28-P-400-1.27
)
28引脚400mil塑料SOJ
（产品： MSM51V17800F - xxJS ）
(
TSOPII28-P-400-1.27-K
)
28引脚400mil TSOP塑料
（产品： MSM51V17800F - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
90ns
110ns
130ns
功耗
操作
（ MAX 。 ）
360mW
324mW
288mW
待机
（ MAX 。 ）
1.8mW
MSM51V17800F
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