E2G0126-17-61

半导体

MSM51V16800D/DSL

半导体

这个版本： 1998年3月

MSM51V16800D/DSL

e

Pr

LIM

y

ar

in

2,097,152-Word

8位动态RAM ：快速页面模式类型

描述

该MSM51V16800D / DSL是一种2,097,152字

8位动态RAM制造的冲电气的硅栅

CMOS技术。该MSM51V16800D / DSL实现高集成，高速运转，

和低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/

双层金属CMOS工艺。该MSM51V16800D / DSL是采用28引脚塑料SOJ或

28引脚塑料TSOP 。该MSM51V16800DSL （自刷新版本）是专为

低功耗应用。

特点

2,097,152字

8位配置

3.3 V单电源供电，

±0.3

V宽容

=输入

： LVTTL兼容，低输入电容

输出： LVTTL兼容，三态

刷新： 4096次/ 64毫秒， 4096次/ 128毫秒（ SL版本）

快速页模式下，读 - 修改 - 写功能

CAS

前

RAS

刷新，刷新隐藏，

RAS-只

刷新功能

CAS

前

RAS

自刷新功能（ SL版本）

·多位测试模式功能

封装选项：

28引脚400密耳的塑料SOJ

(SOJ28-P-400-1.27)

（产品： MSM51V16800D / DSL- xxJS ）

28引脚400密耳的塑料TSOP

（ TSOPII28 -P- 400-1.27 -K）个（产品： MSM51V16800D / DSL- xxTS -K）个

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

访问时间（最大值）。

t

RAC

t

AA

t

CAC

t

OEA

周期

功耗

（分）

操作（最大）待机（最大）

90纳秒

110纳秒

130纳秒

270毫瓦

252毫瓦

234毫瓦

1.8毫瓦/

0.72毫瓦（ SL版本）

MSM51V16800D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒

MSM51V16800D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒

MSM51V16800D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒

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