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OKI半导体
MSM51V16165F
描述
FEDD51V16165F-03
发行日期： 2002年8月16日
1,048,576-Word
×
16位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM51V16165F是1,048,576字
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16位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V16165F实现高集成，高速运行，并
低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层
多晶硅/双层金属CMOS工艺。该MSM51V16165F可在四十四分之五十引脚塑料
TSOP 。
特点
· 1,048,576字
×
16位配置
·
3.3V单电源供电，
±0.3V
公差
·
输入： LVTTL兼容，低输入电容
·
输出： LVTTL兼容，三态
·
刷新： 4096次/ 64ms的
·
快页模式与EDO ，读 - 修改 - 写功能
·
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
包
四十四分之五十〇引脚400mil TSOP塑料
(
TSOPII50/44-P-400-0.80-K
)
（产品： MSM51V16165F - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
84ns
104ns
124ns
功耗
操作
（ MAX 。 ）
270mW
252mW
234mW
待机
（ MAX 。 ）
1.8mW
MSM51V16165F
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