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初步
集成
电路
系统公司
ICS844001I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- LVDS
C
LOCK
G
enerator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
10mA
15mA
101.7 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
（ LVDS ）
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
待定
待定
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
待定
待定
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
FREQ_SEL
FREQ_SEL
测试条件
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
-150
最低
2
1.7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
单位
V
V
V
V
A
A
T
ABLE
3D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
350
40
1.25
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
注：请参考参数测量信息的输出信息。
844001AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一个2005年6月16日
