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集成
电路
系统公司
ICS843001-21
F
EMTO
C
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5%, TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
注1 :输出端接50
Ω
到V
CCO_PECL
- 2V.
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻(ESR )
旁路电容
注:使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
12
测试条件
最低
典型
最大
40
50
7
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
基本
T
ABLE
6. AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ±5%, TA = 0℃下
TO
70°C
符号
f
OUT
t
PD
t
JIT ( φ )
f
VCO
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟, TEST_CLK到
注1
REF_CLK
RMS相位抖动(随机) ;
注2,3
PLL VCO锁定范围
产量
上升/下降时间
输出占空比
LVPECL
LVCMOS
测试条件
最低
56
2.3
622.08MHz的( 12kHz的 - 为20MHz )
560
20 %至80%
20 %至80%
200
300
45
44
0.80
700
500
800
55
56
典型
最大
700
2.8
单位
兆赫
ns
ps
兆赫
ps
ps
%
%
LVPECL
LVCMOS
注1 :从V测
CC
输入到V / 2的
CCO_CMOS
输出的/ 2 。
注2 :采用19.44MHz QUAR TZ CR石英晶体测相位抖动。
注3 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
843001AG-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2005年10月26日

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