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ICS8402I
350MHZ ，水晶- TO- LVCMOS / LVTTL频率合成器
表4B 。 LVCMOS / LVTTL DC特性，
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
OE0 ， OE1 ， MR，
M0 ： M8 ， N0 ， N1 ，
S_CLOCK ， S-DATA ，
S_LOAD ， nP_LOAD ，
VCO_SEL ， XTAL_SEL
测试时钟
TEST_CLOCK ， MR，
M0： M4， M6： M8， N0，N1 ，
S_CLOCK ， S-DATA ，
S_LOAD ， nP_LOAD
M5 ， XTAL_SEL ，
VCO_SEL ， OE0 ， OE1
TEST_CLOCK ， MR，
M0： M4， M6： M8， N0，N1 ，
S_CLOCK ， S-DATA ，
S_LOAD ， nP_LOAD
M5 ， XTAL_SEL ，
VCO_SEL ， OE0 ， OE1
V
OH
V
OL
产量
高压
产量
低电压
TEST;注1
测试条件
最低
2
典型
最大
V
DD
+ 0.3
单位
V
V
IL
输入
低电压
-0.3
0.8
V
-0.3
1.3
V
I
IH
输入
HIGH CURRENT
V
DD
= V
IN
= 3.465V
150
A
V
DD
= V
IN
= 3.465V
5
A
I
IL
输入
低电流
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
A
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
-150
2.6
1.8
0.5
A
V
V
V
TEST;注1
V
DDO
= 3.465或2.625V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息部分。
负载测试电路图。
表5.输入频率特性，
T
A
= -40 ° C至85°C
符号参数
TEST_CLK ;注1
f
IN
输入
频率
XTAL_IN ， XTAL_OUT ;注1
S_CLOCK
测试条件
最低
12
12
典型
最大
40
40
50
单位
兆赫
兆赫
兆赫
注1 ：对于输入晶体和TEST_CLK的频率范围内， M值必须为到250MHz的范围内运作的VCO设置
700MHz的范围内。使用12MHz的最小输入频率，男的有效值为21
≤
M
≤
58.使用的最大输入频率
40MHz的，男的有效值为7
≤
M
≤
17.
IDT / ICS
LVCMOS / LVTTL频率合成器
7
ICS8402AYI REV 。一2007年10月16日
