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集成
电路
系统公司
ICS8402I
350MH
Z
, C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
A
PPLICATION
I
载文信息
P
OWER
S
UPPLY
F
ILTERING
T
ECHNIQUES
如在任何高速模拟电路，电源引脚
易受随机噪声。该ICS8402I另行提供
率电源隔离任何高开关
从输出到内部PLL噪声。 V
DD
, V
DDA
和V
DDO
应分别连接到所述电源
平面的通孔和旁路电容应
用于每个引脚。为了达到最佳的抖动性能，
电源隔离是必需的。
图2
说明了如何
一个10Ω的电阻与一个10μF和.01μF旁路
电容应连接到每个V
DDA
引脚。
3.3V
V
DD
.01F
V
DDA
.01F
10F
10
F
IGURE
2. P
OWER
S
UPPLY
F
ILTERING
C
RYSTAL
I
NPUT
I
覆盖整个院落
该ICS8402I的特点与18pF之平行
谐振晶体。的电容值，C1和C2 ，
所示
科幻gure 3
下面用一个25MHz的决定，
18pF之并联谐振晶体，并选择了迷你
迈兹ppm误差。最佳C1和C2能够值
稍做调整不同的电路板布局。
XTAL_IN
C1
22p
X1
18pF之平行惊魂实达
XTAL_OUT
C2
22p
ICS8402I
ICS84332
图3.
RYSTAL
I
NPU
T I
覆盖整个院落
8402AYI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。一2004年12月23日
