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互联网数据表
HYS[64/72]D[16/32/128]3xxHU–[5/6]–C
无缓冲DDR SDRAM模块
8 ）最多八个自动刷新命令可以发布到任何给定的DDR SDRAM器件。
9 ）这些参数保证设备定时，但它们不必在每台设备上进行测试。
10 ）快速压摆率
≥
1.0 V / ns的，缓慢的回转率
≥
0.5 V / ns到< 1 V / ns的为命令/地址和CK & CK摆率> 1.0 V / ns的测量
V之间
OH （ AC）
和V
OL （AC）的
.
11 ）的具体要求是， DQS有效（高，低，或对一些有效的过渡或在此CK边缘前点） 。一个有效的过渡
被定义为单调的，并满足该设备的输入端电压变化率规范。如果没有写以前在进展中
公交车， DQS将过渡给Hi -Z为逻辑低电平。如果先前写在进步， DQS可以是高，低，或转换
高电平变为低电平，此时，取决于tDQSS 。
12 ）的最大限制这个参数不是一个设备的限制。该器件采用此参数的更大的价值，但系统
性能（总线周转）相应降低。
牧师1.21 ， 2006-09
03292006-RA8T-MSZL
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