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互联网数据表
HYS[64/72]D[32/64/128]xxx[G/H]U–[5/6]–B
无缓冲DDR SDRAM模块
表11
I
DD
规范HYS [ 64/72 ] D [ 64/128 ] 3xxHU - 6 -B
HYS64D128320HU–6–B
HYS64D128320GU–6–B
HYS64D64300HU–6–B
HYS64D64300GU–6–B
HYS72D64300HU–6–B
HYS72D64300GU–6–B
产品类型
HYS72D128320HU–6–B
单位
记
1)2)
组织
512 MB
×64
1级
–6
512 MB
×72
1级
–6
马克斯。
720
800
30
240
190
120
330
720
760
1760
42
2230
典型值。
680
770
10
230
150
100
320
690
730
1670
24
2110
马克斯。
810
900
40
270
220
140
370
810
860
1980
47
2510
1 GB
×64
2点
–6
典型值。
880
960
30
400
270
180
560
900
930
1760
43
2150
马克斯。
1050
1130
64
480
380
240
660
1050
1090
2090
80
2560
1 GB
×72
2点
–6
典型值。
990
1080
290
450
310
200
630
1010
1040
1980
49
2420
马克斯。
1180
1270
70
540
430
270
740
1180
1220
2350
94
2880
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
3)
3)4)
符号
典型值。
600
680
10
200
140
90
280
620
650
1480
22
1870
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
只有1人） DRAM元件的电流
2 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3）模块
I
DDX
值被从该组件计算
I
DDX
数据表值：
m
×
I
DDX
[成分] +
n
×
I
DD3N
与[成分]
m
和
n
秩1和2的组件数量;
n=0
1级模块
4 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不纳入计算：模块
I
DD
值将被测量的不同，这取决于负载条件
5）模块
I
DDX
值从corrponent计算
I
DDX
数据表中数值为： （M +
n)
×
I
DDX
[成分]
牧师1.22 ， 2007-01
03292006-CXBY-V2JX
19
