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互联网数据表
HYS[64/72]D[16/32/128]3xxHU–[5/6]–C
无缓冲DDR SDRAM模块
参数
符号
–5
DDR400B
分钟。
马克斯。
—
—
+0.7
—
—
+0.50
—
70E+3
—
—
7.8
—
—
1.1
0.60
—
—
—
0.60
—
—
—
—
–6
DDR333
分钟。
0.75
0.8
–0.7
2
t
HP
– t
QHS
—
t
RCD
42
60
18
—
72
18
0.9
0.40
12
0.25
0
0.40
15
1
75
200
马克斯。
—
—
+0.7
—
—
+0.55
—
70E+3
—
—
7.8
—
—
1.1
0.60
—
—
—
0.60
—
—
—
—
单位
注/测试
条件
1)
地址和控制输入设置
时间
t
IS
0.6
0.7
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
快速压摆率
3)4)5)6)10)
慢转换速率
3)4)5)6)10)
2)3)4)5)7)
数据输出低阻抗时间
从CK / CK
模式寄存器设置命令
周期
DQ / DQS输出保持时间
数据保持倾斜因子
主动到Autoprecharge延迟
至预充电命令
要积极主动/自动刷新
指令周期
ACTIVE读取或写入延迟
平均周期刷新
间隔
自动刷新主动/自动 -
刷新命令期
预充电命令期
阅读序言
阅读后同步
活跃银行A到有效的银行B
命令
写序言
写序言建立时间
写后同步
写恢复时间
内部写读命令
延迟
退出自刷新非读
命令
退出自刷新阅读
命令
t
LZ
t
MRD
t
QH
t
QHS
t
RAP
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
REFI
t
RFC
t
RP
t
RPRE
t
RPST
t
RRD
t
WPRE
t
WPRES
t
WPST
t
WR
t
WTR
t
XSNR
t
XSRD
–0.7
2
t
HP
– t
QHS
—
t
RCD
40
55
15
—
65
15
0.9
0.40
10
0.25
0
0.40
15
2
75
200
2)3)4)5)
2)3)4)5)
TSOPII
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)11)
2)3)4)5)12)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
1) 0
°C ≤
T
A
≤
70
°C;
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V, V
DD
= +2.5 V
±
0.2 V （ DDR333 ） ; V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V, V
DD
= +2.6 V
±
0.1 V（ DDR400 ）
2 ）输入转换率
≥
1 V / ns的为DDR400 ， DDR333
3）将CK / CK输入参考电平（用于定时参考CK / CK）为在该点CK和CK横：用于信号输入的参考电平
比CK / CK等，为V
REF
。 CK / CK摆率
≥
1.0 V / ns的。
4 ）输入无法识别为有效，直到V
REF
稳定。
5）输出定时基准电平，如在AC特性指示的定时基准点（注3 ）测定为V
TT
.
6）对于每一条款，如果尚未的整数，舍入到下一个最高的整数。吨
CK
等于实际的系统时钟周期时间。
7) t
HZ
和T
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数未提及具体的
电压电平，但指定当该装置不再找到（HZ） ，或者开始驱动（LZ） 。
牧师1.21 ， 2006-09
03292006-RA8T-MSZL
27
