MX29LA32xMT/B
内部编程/擦除电路都被禁止，而DE-
副复位。随后的写操作被忽略，直到VCC是
比VLKO更大。该系统必须提供正确的
信号至控制引脚，以防止无意的写
当VCC高于VLKO 。
写脉冲"GLITCH"保护
噪声脉冲小于在CE ＃或WE ＃为5ns （典型值）
不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE ＃任何一个抑制= VIL ，
CE＃ = VIH或WE＃ = VIH 。要启动一个写周期CE ＃
和WE＃必须是逻辑零而OE＃为逻辑
1 。
上电顺序
该MX29LA32xMT / B通电，在只读模式。
此外，该存储器的内容可以只被改变
圆满完成了预定义的命令后
序列。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE＃ = VIL和OE ＃ =在上电期间VIH时，
设备不接受的上升沿命令
WE＃ 。内部状态机自动复位
上电时读取模式。
电源DE耦合
为了降低功率开关的作用，各装置
应该有一个0.1uF的陶瓷电容连接BE-
补间的VCC和GND 。
P / N ： PM1144
REV 。 1.3 ，十一月15，2005
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