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NAND04G - B2D ， NAND08G - BXC
4千兆， 8千兆， 2112字节/ 1056字的页面
多平面架构， 1.8 V和3 V ， NAND闪存
初步数据
特点
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高密度NAND闪存
- 多达8个千兆存储阵列
- 大容量存储的成本效益的解决方案
应用
NAND接口
- X8或16X总线宽度
- 复用的地址/数据
电源电压： 1.8 V或3.0 V器件
PAGE SIZE
- X8设备： （ 2048 + 64备用）字节
- X16设备： （ 1024 + 32备用）字
BLOCK SIZE
- X8设备： （ 128K + 4K的备用）字节
- X16设备： （ 64K + 2 k备用）字样
多平面架构
- 阵列分割成两个独立的平面
- 编程/擦除操作即可
同时在两个平面进行
页面读取/编程
- 随机访问： 25 μs（最大值）
- 顺序存取： 25纳秒（分钟）
- 页编程时间： 200微秒（典型值）
- - 多页编程时间（ 2页） ：
在200μs（典型值）
复制回程序自动错误
检测码（ EDC）的
缓存读取模式
快速块擦除
- 块擦除时间： 1.5毫秒（典型值）
- 多块擦除时间（ 2块） ：
1.5毫秒（典型值）
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
序列号选项
NAND08G-BxC
TSOP48 12 ×20毫米（ N）
LGA
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LGA52 12 ×17毫米（ ZL ）
r
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数据保护：
- 硬件编程/擦除过程中被禁用
电源转换
- 非易失性保护选项
ONFI 1.0标准命令集
数据完整性
- 100 000编程/擦除周期（带ECC
（纠错码） ）
- 数据保存10年
ECOPACK
套餐
设备简介
产品型号
NAND04GR3B2D
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表1中。
参考
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NAND04G-B2D
NAND04GW3B2D
NAND04GR4B2D
(1)
NAND04GW4B2D
(1)
NAND08GR3B2C,
NAND08GW3B2C
NAND08GR4B2C
(1)
NAND08GW4B2C
(1)
NAND08GR3B4C
NAND08GW3B4C
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1.只适用于MCP产品X16组织。
2007年12月
REV 3
1/69
www.numonyx.com
1
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
