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NCP1010 ， NCP1011 ， NCP1012 ， NCP1013 ， NCP1014
设计步骤
一个SMPS围绕一个单片器件设计做
从一个标准电路使用控制器没有区别
和MOSFET 。然而，需要注意的某些
具体单片器件的特点：
350
250
150
50.0
＆ GT ; 0 ！
50.0
1.004M
1.011M
1.018M
1.025M
1.032M
图26.漏极 - 源极波将永远是正的。 。 。
1.在任何情况下，横向MOSFET的体二极管将
永远不会被正向偏置，无论是在启动
（由于大的漏感）或在
如由图26中的正常操作。
其结果是，在回扫电压，该电压对反射
在开关断开漏极不能比输入大
电压。在选择组件，因此必须采用
的匝数比附着在下面的等式：
N· （VOUT
)
VF ）
t
输入电压的最小值
（当量14）的
。例如，如果
从120 V DC轨运行，以交付12 V ，我们
可以选择100伏的最大反射电压：
120-100 > 0，因此，匝数比Np个： Ns个必须是
小于100 / （12 + 1）= 7.7或镎： Ns个< 7.7 。我们会看到
后来它如何影响计算。
2.一种电流模式结构是，根据定义，
敏感的次谐波振荡。
次谐波振荡只发生在
开关电源是连续导通工作
模式（CCM ）与占空比越大一起
大于50％。作为结果，我们建议操作
该设备在DCM只，无论占空比它
意味着（最大值= 65％）。然而， CCM操作
与工作周期低于40 ％是可能的。
3.横向MOSFET的dopped不佳
体二极管这自然限制了他们的能力
维持雪崩。传统的RCD钳位
网络应如此安装，以保护
MOSFET。在一些低功耗应用，
一个简单的电容器，也可以使用自
VDRAIN最大
+
VIN
)
N· （VOUT
)
VF ）
)
叶·
（当量15）
CTOT是在漏极节点的总电容
（这是增加之间的有线电容器
漏极和源极） ，N的NP： NS转率， VOUT上的
输出电压Vf的次级二极管的正向
下降，最后，IP的最大峰值电流。
会发生最坏的情况下，当所述开关电源是非常接近的
法规，例如在VOUT目标几乎达到
和叶仍被推到最大。
考虑到以前所有的言论，就成了
可以计算，可以是最大功率
转在低线。
当开关关闭时， Vin被跨接在初级施加
电感Lp ，直至电流达到所规定的电平
反馈回路。该事件的持续时间被称为导通
时间，并且可以定义为：
吨
+
LP ·叶
VIN
（当量16）
在开关断开时，主能量被转移
到辅助和回扫电压出现在
脂蛋白，复位变压器铁心用的斜率
N· （VOUT
)
VF ）
。 Toff的，截止时间是这样的：
Lp
花花公子
+
LP ·叶
N· （VOUT
)
VF ）
（当量17）
如果要保持DCM只，但仍需要通过
最大功率，我们不会允许后，一个死区时间
核心复位，而是立即重新启动。开关
时间可以表示为：
TSW
+
花花公子
)
吨
+
LP ·叶·
1
)
1
VIN N· （VOUT
)
VF ）
（当量18）的
Lf
CTOT
其中Lf的是漏电感，
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