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NCP1010 , NCP1011 , NCP1012 , NCP1013 , NCP1014
V
CC
= 8.0 V ,除非另有说明)。
电气特性
(对于典型值T
J
= 25 ℃,最小/最大值T
J
= 0 ° C至+ 125°C ,最大牛逼
J
= 150°C,
等级
供应科和V
CC
管理
V
CC
越来越多的等级。电流源打开,关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
VCC之间的迟滞
关闭
和Vcc的
ON
V
CC
降低的等级。锁存关断阶段结束
V
CC
降低等级,在其内部锁存器被释放
IC内部消费, MOSFET开关在65千赫
IC内部消费, MOSFET的开关频率为100 kHz
IC内部消费, MOSFET开关在130千赫
IC内部消费,锁断相,V
CC
= 6.0 V
活跃的齐纳电压正偏置到VCC
关闭
锁存关断电流
NCP1012/13/14
NCP1010/11
电源开关电路
电源开关电路导通状态电阻
NCP1012 / 13/ 14(编号= 50 mA)的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
NCP1010 / 11 (ID = 50毫安)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
电源开关电路和启动击穿电压
(ID
(关闭)
= 120
毫安,
T
J
= 25°C)
电源开关和启动击穿电压关闭状态
漏电流
T
J
= 25 ° C( VDS = 700 V)
T
J
= 125°C (VDS = 700 V)
开关特性
( RL = 50
W,
VDS设置为Idrain = 0.7× ILIM)
开启时间( 90 % -10 % )
关断时间( 10 % -90 % )
内部启动电流源
高压电流源,V
CC
= 8.0 V
NCP1012/13/14
NCP1010/11
高压电流源,V
CC
= 0
电流比较器
T
J
= 25 ° C(注2 )
最大内部电流设定点, NCP1010 (注3 )
最大内部电流设定点, NCP1011 (注3 )
最大内部电流设定点, NCP1012 (注3 )
最大内部电流设定点, NCP1013 (注3 )
最大内部电流设定点, NCP1014 (注3 )
默认的内部电流设定值进行跳跃周期操作,
最大叶的百分比
从目前的检测传输延迟流掉国家
前沿消隐时间
1
IC1
5.0
5.0
1
5
5
5
5
5
IC2
I峰值( 22 )
I峰值( 22 )
I峰值( 11 )
I峰值( 11 )
I峰值( 11 )
I
Lskip
T
DEL
T
LEB
90
225
225
315
405
8.0
8.5
10
100
250
250
350
450
25
125
250
10
10.3
110
275
275
385
495
mA
mA
mA
mA
mA
mA
%
ns
ns
mA
5
R
DSON
11
19
22
38
5
BVDSS
I
DS ( OFF
)
5
5
50
30
ns
5
5
花花公子
20
10
700
16
24
35
50
V
mA
W
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
VCC
关闭
VCC
ON
VCC
LATCH
VCC
RESET
ICC1
ICC1
ICC1
ICC2
VCLAMP
ILatch
6.3
5.8
7.4
7.3
9.2
9.0
7.9
6.9
4.4
140
8.5
7.5
1.0
4.7
3.0
0.92
0.95
0.98
290
200
9.1
8.1
5.1
1.1
(注2 )
1.15
(注2 )
1.2
(注2 )
300
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mV
mA
符号
典型值
最大
单位
2.请参见特性曲线的温度变化。
3.调整的di / dt在3.2到I峰值
毫秒。
http://onsemi.com
5

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