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NCP1010 ， NCP1011 ， NCP1012 ， NCP1013 ， NCP1014
MOSFET保护
如在任何反激式设计中，重要的是要限制本
漏游到安全值，例如在下面的MOSFET
HV
HV
RCLAMP
BV
DSS
这是700 V.图27给出可能的
实现方式：
HV
CCLAMP
Dz
D
1
2
3
CVCC
+
4
NCP101X
5
CVCC
C
+
8
7
1
2
3
4
NCP101X
5
CVCC
+
8
7
1
2
3
4
NCP101X
5
8
7
D
A
B
图27.不同的选项来夹紧漏感尖峰
C
图27A ：
简单的电容器限制电压
根据公式15此选项仅适用于低
功率应用中，例如低于5.0 W，否则机会
存在损坏MOSFET 。评估泄漏后
电感，你可以计算下用公式15典型
值是在100 pF和高达470 pF的。大
电容器的电容增加的损失。
图27B ：
下图说明了最标准
电路称为RCD网络。 RCLAMP和CCLAMP是
使用下列公式计算：
RCLAMP
+
2 · V钳位· （ V钳位
*
（VOUT
)
VF秒） ·N ）
Lleak · Ip2的FSW ·
CCLAMP
+
VCLAMP
VRIPPLE · FSW · RCLAMP
（当量27）
（当量28）
VCLAMP通常选择5080 V以上的反射
值N X （VOUT + VF ） 。二极管需要一个快速1和
一个MUR160代表一个不错的选择。一个主要的缺点
的RCD网络时的峰值在于其依赖
电流。在IP和输入电压是最大值出现更糟糕的情况下，
和Vout为接近达到稳态值。
图27C ：
此选项可能是最昂贵的
所有这三个，但它提供了最好的保护程度。如果您需要
一个非常精确的钳位电平，则必须实现一个齐纳
二极管或TVS 。有一点不同的技术
后面一个标准的齐纳二极管和TVS 。但是，死
面积大得多的瞬态抑制器比齐纳的。
像1N5388B A 5.0 W齐纳二极管将接受180W的
峰值功率，如果持续时间小于8.3毫秒。如果该峰值电流在
最坏的情况下（例如，在PWM电路的最大时
限流的作品）乘以标称稳压
电压超过这些180瓦，则二极管将
销毁时，电源经验重载。一
瞬态抑制器像P6KE200仍然消耗5.0 W
连续的权力，但可以接受激增至600瓦
@ 1.0毫秒。选择之间的齐纳二极管或TVS钳位电平
40至80伏以上的反射的输出电压时的
电源负载过重。
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