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莱迪思半导体公司
XPIO 110GXS数据表
电气特性（续）
低速输入/输出连接特定的阳离子（续）
在推荐工作条件
符号
V
ICM
V
IH
V
IS
参数
LVDS接收器的共模范围
（ TX_D_LV_P / N [ 15：0] ， TX_CK_LV_P / N）的
LVDS输入电压高
（ TX_D_LV_P / N [ 15：0] ， TX_CK_LV_P / N）的
LVDS单端输入电压摆幅
（ TX_D_LV_P / N [ 15：0] ， TX_CK_LV_P / N）的
参见图11 。
测试条件
参见图11 。
分钟。
0.9
—
100
典型值。
—
—
—
马克斯。
1.6
2.4
600
单位
V
V
mV
（峰峰值）
LVCMOS输入/输出特定网络阳离子
在推荐工作条件
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
PU
参数
LVCMOS输入高电压
LVCMOS输入低电压
LVCMOS输入大电流
LVCMOS输入低电平电流
LVCMOS输出高电压
LVCMOS输出低电压
LVCMOS输入上拉电流
具有4mA的负载
具有4mA的负载
测试条件
分钟。
1.6
0
—
—
2.0
0
90
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
2.6
0.8
10
10
2.5
0.4
170
单位
V
V
A
A
V
V
A
电源连接特定的阳离子
在推荐工作条件
符号
P
D
I
DD13
1
I
DD25
2
参数
功耗
1.3V电源电流
2.5V电源电流
测试条件
分钟。
—
—
—
典型值。
0.8
390
130
马克斯。
1.05
460
160
单位
W
mA
mA
1. 1.3V电源，包括VDDAR ， VDDAT ， VDDL ， VDDT ， VDDR 。
2. 2.5V电源，包括VDDAR25 ， VDDAT25 ， VDDH 。
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