IXTP 02N50D
IXTU 02N50D
IXTY 02N50D
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
Note1
100
150
120
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
5
K / W
K / W
TO- 220 AD纲要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 50 V ;我
D
= 200毫安
V
GS
= -10 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
25
5
V
ds
V
gs
R
G
= 100 V V，I
D
= 50毫安
= 0 V至-10
= 30Ω （外部）
9
4
28
45
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
TO-220
0.25
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= -10 V，I
F
= 200毫安
I
F
= 0.75 A， -di / DT = 10 A / μs的，
V
DS
= 25 V, V
GS
= -10V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
Note1
0.7
1.5
1.0
V
μs
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
TO- 251 AA大纲
TO- 252 AA大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。马克斯。
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
英寸
分钟。
马克斯。
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
销： 1 - 门
3 - 来源
DIM 。
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。
马克斯。
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.28
4.57
17.02
8.89
1.91
0.89
1.15
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
BSC
BSC
17.78
9.65
2.28
1.27
1.52
2 - 漏极
标签 - 漏
英寸
分钟。马克斯。
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.090
.180
.670
.350
.075
.035
.045
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
BSC
BSC
.700
.380
.090
.050
.060
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
