SFP95N03L
图1.在国家特色
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
如图2传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
I
D
，漏电流[ A]
2
10
1
175 C
25 C
o
o
10
0
-55 C
※
注意事项：
1. V
DS
= 15V
2. 250μ s脉冲测试
o
10
1
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
-1
0
1
10
10
10
10
-1
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
20
图4.在国家电流与
允许外壳温度
R
DS （ ON）
[m ],
漏源导通电阻
15
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
2
10
1
10
175
℃
10
0
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
5
※
注：t
J
= 25
℃
0
0
100
200
300
400
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
5000
10
V
DS
= 15V
V
DS
= 24V
电容[ pF的]
4000
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
8
3000
6
C
国际空间站
2000
4
C
OSS
1000
2
※
注：我
D
= 95 A
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
V
DS
，漏源电压[V]
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
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