WTE
功率半导体
SB10150
Pb
10A高压肖特基整流器
特点
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肖特基芯片
保护环的瞬态保护
低正向压降
C
低反向漏电流
高浪涌电流能力
G
塑料材料具有防火
分类94V -O
D
F
P
I
H
L
B
TO-220A
暗淡
民
最大
13.90
15.90
A
9.80
10.70
B
2.54
3.43
C
3.56
4.56
D
12.70
14.73
E
0.51
0.96
F
3.55
4.09
G
5.75
6.85
H
4.16
5.00
I
2.03
2.92
J
0.30
0.65
K
1.14
1.40
L
4.83
5.33
P
尺寸：mm
A
PIN1
3
机械数据
!
!
!
!
!
!
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案例： TO- 220A ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
安装扭矩：11.5厘米千克（ 10磅）最大。
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
E
PIN 1 +
+
例
J
K
PIN 3 -
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
L
= 95°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
SB10150
单位
150
105
10
V
V
A
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
@I
F
= 10A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
150
0.92
0.5
50
700
2.0
-65到+150
A
V
mA
pF
° C / W
°C
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB10150
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2006韩元鼎好电子
