WTE

功率半导体

SB820DC - SB8100DC

Pb

8.0A表面安装式双肖特基整流器

特点

!

!

肖特基芯片

C

J

保护环片施工

A

瞬态保护

!

低正向压降

!

低功耗，高效率

B

!

高浪涌电流能力

D

E

销1

2

3

!

为了在低电压，高频率

逆变器，续流和极性

G

保护应用

H

K

P

P

D

2

PAK/TO-263

暗淡

民

最大

9.80

10.40

A

9.60

10.60

B

4.40

4.80

C

8.50

9.10

D

2.80

—

E

1.00

1.40

G

—

0.90

H

1.20

1.40

J

0.30

0.70

K

2.35

2.75

P

尺寸：mm

机械数据

!

!

!

!

!

!

!

案例：D

2

PAK / TO- 263 ，模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：见图

重量：2.7克数（大约）

安装位置：任意

标记：型号数量

无铅：对于符合RoHS /无铅版本，

新增“ -LF ”后缀型号，见第4页

PIN 1 -

PIN 3 -

+

情况下， PIN码2

最大额定值和电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。

SB

SB

SB

SB

SB

SB

SB

SB

820DC 830DC 840DC 845DC 850DC 860DC 880DC

8100DC

20

14

30

21

40

28

45

32

8.0

50

35

60

42

80

56

100

70

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流@T

C

= 100°C

非重复峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波叠加

在额定负荷（ JEDEC的方法）

正向电压

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

@I

F

= 4.0A

@T

A

= 25°C

@T

A

= 100°C

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

O

单位

V

V

A

I

FSM

V

FM

I

RM

C

j

R

θJC

T

j

, T

英镑

0.55

150

0.75

0.5

50

400

3.0

-65到+150

0.85

A

V

mA

pF

° C / W

°C

典型结电容（注1 ）

典型热阻（注2 ）

工作和存储温度范围

注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压

2.热阻结到外壳上安装散热片。

SB820DC - SB8100DC

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2006韩元鼎好电子