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SC1185 & SC1185A
电源管理
布局指南
组件选择
魔力
S魔力节
电容器
输出电容 - 选择开始最
重要组成部分。由于快速的瞬态负载电流
在现代微处理器内核电源要求，
输出电容必须提供所有的瞬态负载电流
要求，直到电流在输出电感器斜面
到新的水平。因此，输出电容的ESR是
的最重要的标准。最大ESR可以
简单地由下式计算：
R
ESR
≤
哪里
V
t
=
最大瞬态电压偏移
I
t
=
瞬态电流阶跃
V
t
I
t
计算出的最大电感值假定100 ％
和0 ％的占空比，所以一些津贴必须作出。
选择50的电感值，以计算出的75％的
最高将保证电感电流斜坡
足够快，以减少电压下降在ESR
以更快的速度大于电容器骤降，因此保证一个
恢复良好的瞬态，无需额外的旅行。
我们也必须在输出纹波电流有关
放电感和一般的经验法则一直
允许的最大输出电流为脉动电流的10％。
注意，大多数的输出电压纹波由产生
电感纹波电流流过输出电容
ESR 。纹波电流可从下式计算：
I
L
纹波
=
V
IN
4
L
f
OSC
例如，为了满足一个100mV的瞬时限带10A
加载步骤中，输出电容器的ESR必须小于
为10mΩ 。为满足这种血沉水平中，有三个
现有电容器技术。
每个盖帽。
技术
C
(F)
330
330
1500
ESR
(m
)
60
25
44
总
ESR
(m
)
10
8.3
8.3
纹波电流津贴定义最小许可证─
泰德电感值。
动力
功率FET - 该场效应晶体管基于多个所拣选
有可能是最重要的是电源显示标准
sipation和功率处理能力。
TOP FET - 在顶部FET的功耗是一个combi-
的传导损耗，开关损耗和底部国家
FET体二极管恢复损耗。
一）导通损耗都简单地计算为：
2
P
COND
=
I
O
R
DS （ ON）
δ
数量。
RQD 。
(F)
6
3
5
低ESR的钽
OS- CON
低ESR铝
2000
990
7500
其中使用的选择是简单地成本/性能
问题，与低ESR铝是最便宜的，但
占用了大部分空间。
感应器
电感器 - 在决定一个合适的类型和值
IN-的输出电容，最大允许值
导体可以计算出来。过大的电感会亲
达斯慢电流斜坡速率和将导致输出
电容器来提供更多的瞬时负载电流的
更长 - 通向下方的ESR的输出电压暂降
游览上面计算。
最大电感值可从下式计算：
L
≤
R
ESR
C
V
A
I
t
哪里
δ
- 占空比
≈
V
O
V
IN
B）开关损耗可通过假设一个开关来估计
荷兰国际集团时，如果我们假设为100ns ，则：
P
SW
=
I
O
V
IN
10
2
或更一般地，
P
SW
=
I
O
V
IN
( t
r
+
t
f
)
f
OSC
4
三）体二极管恢复损耗就比较难估算
交配，但以第一近似值，这是合理的AS-
苏木即在底部的FET本体二 - 所存储的电荷
赋将通过顶场效应管，因为它开始转动移动
上。在顶部FET所产生的功耗将是：
P
RR
=
Q
RR
V
IN
f
OSC
其中，V
A
为V的小
O
or
(
V
IN
V
O
)
2005年升特公司
9
一阶近似，可以很方便地只CON-
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