SC1155
电源管理
应用信息 - .unctional说明
参考/电压识别
参考/电压识别（ VID ）第CON-
的温度补偿带隙基准sists
和一个5位的电压选择网络。 5 VID引脚
为TTL compatable投入到VID选择网络。
他们在内部上拉，从产生的+ 5V
+ 12V电源通过一个电阻分压器，并提供编程
输出电压的mability从1.1V至1.8V以25mV
增量。
参考输出电压表中的VID码设定
Tings的。中的VID网络，VRE的输出电压。是
在整个输入标称设定的1％
输出电压范围和结温范围。
基准/ VID的网络的输出是间接
引出通过一个缓冲器对RE.B销。该电压
年龄对这个引脚将在VRE的3mV的。它不是市盈率
ommended驱动负载， RE.B比其他的设置
迟滞比较器的滞后现象，因为
电流从RE.B绘制设定为充电电流
软启动电容。指的是软起动部
了解更多信息。
滞回比较器
迟滞比较器调节输出电压
在同步降压转换器。迟滞
通过连接的一个电阻分压器的中心点设置
从RE.B到AGND到HYST引脚。的滞后
比较器将等于所述电压差的两倍
RE.B和HYST之间单一模式，并具有最大值
的60mV的。从计算的最大传播延迟
器输入到驱动器输出为250ns的。
低侧驱动器
低侧驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N-
通道MOS.ET和额定2安培源
下沉。偏置为低侧驱动器被设置间
应受从VDRV 。
高端驱动器
高侧驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N-
通道MOS.ET和额定2安培源
下沉。它可以配置无论是作为一个接地参考
驾驶员或作为浮动自举式驱动。当配置
作为浮动驱动，偏置电压到驱动器是DE-
开发出来的DRV调节。内部自举
2001年升特公司
初步
二极管，连接在DRV和BOOT引脚，是一个
肖特基以改善驱动效率。最大
能之间的BOOT引脚和被施加的电压
地面25V 。驱动程序可以被引用到地
通过连接BOOTLO到地线，并连接+ 12V
到BOOT引脚。
死区时间控制
死区时间控制能够防止直通电流
在切换期间流过主功率.ETs
转变，积极控制的导通时间
.ET驱动程序。高侧驱动器是不允许开启
直到所述栅极驱动电压到低侧.ET低于2
伏，且低压侧驱动不允许打开
直到在2 .ETs的结上的电压（ VPHASE ）是
低于2伏。一个内部的低通滤波器具有11MHz
极位于低侧驱动器的输出之间
（DL）和其控制的死区时间电路的输入端
高侧驱动器，以滤除噪声，可能出现
上的DL时，高侧驱动器导通。
电流检测
电流检测通过采样和保持所获得的
在整个高端.ET电压，同时它是打开的。
采样网络由一个内部50Ω开关
和外部0.1μ 。保持电容。内部逻辑CON-
指令对导通和关断的采样/保持开关
这样的开关没有打开，直到VPHASE转录
位数高和关断时，输入到高压侧
驱动为低电平。因此，采样将只在发生
高端.ET传导电流。在电压
IO引脚等于2倍的感测的电压。在应用
系统蒸发散其中较高精度的电流检测是重新
quired ，感测电阻器可以被放置在一系列的
高端.ET和检测电阻两端的电压
可以通过电流检测电路进行采样。
跌落补偿
下垂补偿网络降低了负载瞬变
过性的过冲/下冲，在VOUT ，相对于VRE ..
VOUT被编程为一个电压大于VRE 。平等
到VRE 。 ?? （ 1 + R7 / R8 ） （见典型。附录电路，第1页）由
外部电阻分压器从VOUT到VSENSE引脚来
减少在一个由低到高负载VOUT上的冲
电流瞬变。在一个前高后低的过冲
负载电流瞬变减小减去电压
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