SC1205H
电源管理
应用信息（续）
顶MOS.ET源必须接近底部
MOS.ET漏极，以防止振铃和的可能性
相位节点变为负值。这个频率是阻止 -
开采方式：
Fring的
=
1
( 2
Π
*的Sqrt （L
ST
*科斯）
初步
防止过压驱动
相位节点上的负电压尖峰增加了
自举电容的电压，从而增加了电压
VBST之间的年龄 - VDRN 。
这是特别重要
如果更高的升压电压被使用。
如果相位节点
负尖峰过大，对升压电压
电容可能超过设备？的绝对最大额定
ING为12V 。为了消除振铃的效果
升压电容电压，放置一个4.7 - 10欧姆的电阻
升压肖特基二极管和Vcc之间，以滤除负面
略去尖峰DRN引脚。交替地，一个硅二极管，如
作为常用的1N4148可以代替
肖特基二极管和省去了串联
电阻器。
适当的布局将保证最小振铃和消除
奈特无需外部元件。采用SO- 8或
其他表面贴装MOS.ETs同时提高热
阻力，会降低引线电感和辐射
ated EMI。
过温关闭
在SC1205H将关闭拉两个驱动程序，如果它
结温，T
J
，超过165 ℃。
-where ：
L
st
=顶端.ET的有效杂散电感中加入
追查顶端之间.ET ？？的连接的电感
源和底部.ET ？的漏极添加到跟踪
底部.ET ？的接地电阻。
COSS =漏底.ET的源极电容。如果
有用于肖特基，肖特基的电容
被添加到该值。
虽然这振铃不构成任何权力造成的损失
到一个相当高的Q值，它可能会导致相位节点去得
远负，从而导致操作不当，双
脉冲或在最坏的驱动程序损坏。在SC1205H ，
漏极节点， DRN ，可以尽量去为2V地面以下
在不影响操作或持续的损害。
振铃也是一个EMI滋扰由于其高的分辨率而
楠频率。增加一个电容器，典型1000-
2000pf ，与底.ET的Coss而平行可以以下项目的
10消除EMI问题。
2002年升特公司
8
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