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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MHV5IC2215N
第3版， 1/2007
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MHV5IC2215NR2宽带集成电路设计基地
站申请。它采用飞思卡尔的高电压（ 28伏） LDMOS IC
技术，集成双 - 级结构。芯片 - 对宽带
配套的设计使得它可以使用1500至2200年兆赫。线性
演出涵盖所有调制制式的手机应用程序，包括
TD - SCDMA 。
驱动器应用
典型的单 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
164毫安，我
DQ2
= 115毫安， P
OUT
= 23 dBm时，全频波段（1930 -
1990年兆赫） ， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8通过
13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益= 27.5分贝
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 60 dBc的30 kHz带宽
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
164毫安，我
DQ2
= 115毫安， P
OUT
= 23 dBm时，全频波段（ 2130 -
2170兆赫） ，信道带宽= 3.84 MHz时， PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益 - 24分贝
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 55 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2170兆赫， 15瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射参数
特点
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入， >5欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿
启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R2的后缀=每16毫米1500台， 13英寸的卷轴
V
RD1
V
RG1
V
DS1
2级IC
V
DS2
/ RF
OUT
MHV5IC2215NR2
2170兆赫， 23 dBm时， 28 V
单N - CDMA ，单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
16
1
CASE 978 - 03
PFP - 16
北卡罗来纳州
V
RD1
V
RG1
V
DS1
GND
RF
in
V
GS1
V
GS2
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
北卡罗来纳州
V
DS2
/ RF
OUT
V
DS2
/ RF
OUT
V
DS2
/ RF
OUT
V
DS2
/ RF
OUT
V
DS2
/ RF
OUT
V
DS2
/ RF
OUT
北卡罗来纳州
RF
in
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MHV5IC2215NR2
1
RF设备数据
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