三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H7687M1
框图
2
3
符合RoHS标准， 764-870MHz 45W 12.8V ， 2级放大器。对于移动电
描述
该RA45H7687M1是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块12.8伏的工作在764-到移动无线电
870 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压1与栅电压2 （Ⅴ
GG1
=V
GG2
= 0V ） ，只有一小
泄漏电流流入漏极和标称输出
信号（P
OUT
= 45W ）衰减可达60分贝。当固定的，即3.4V ，是
提供给栅极电压1时，输出功率和漏
电流增加为栅极电压2增加。输出
功率和与栅极漏电流的增加基本上
的条件下，电压2周围0V （最小）时
栅极电压1保持在3.4V 。额定输出功率
在状态变为可用V
GG2
为4V （典型值）和5V
（最大值） 。在这一点上，V
GG1
已经被保持在3.4V
.
在V
GG1
= 3.4V & V
GG2
= 5V时典型栅极电流0.4毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.8V, V
GG
=0V)
1
4
5
1
2
3
4
5
射频输入增加栅极电压1 （P
in
＆放大器; V
GG1
)
栅极电压2 （V
GG2
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
P
OUT
>45W,
η
T
>33%
@V
DD
=12.8V, V
GG1
=3.4V, V
GG2
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 764-870MHz
金属结构封顶，使RF的改进
辐射简单
低功耗控制电流I
GG1
+I
GG2
= 0.4毫安（典型值）
@ V
GG1
=3.4V, V
GG2
=5V
模块尺寸： 67 ×18× 9.9毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率。
封装代码： H2M
符合RoHS标准
RA45H7687M1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H7687M1-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
th
RA45H7687M1
三菱电机
1/9
2007年1月18日
