CYStech电子股份有限公司
高电压PNP外延平面晶体管
规格。编号： C309N3
发行日期： 2003年5月9日
修订日期： 2004年4月2日
页页次： 1/4
BTA1759N3
描述
高击穿电压。 （ BV
首席执行官
=-400V)
低饱和电压，典型的V
CE （ SAT ）
= -0.2V的IC / I
B
=-20mA/-2mA.
广泛的SOA （安全工作区） 。
补充BTC4505N3 。
符号
BTA1759N3
概要
SOT-23
B：基本
C：收藏家
E：发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
-400
-400
-7
-300
225
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
BTA1759N3
CYStek产品规格
