模拟量输入
3
S1
(V
REFH
- V
REFLO
) / 2
4
C1
S3
C2
S / H
C1 = C2 = 1pF的
1
2
S2
1.
2.
3.
4.
寄生电容由于封装，引脚到引脚和管脚到封装基地耦合; 1.8pf
寄生电容由于芯片接合垫， ESD保护器件和信号路由; 2.04pf
对于静电放电隔离电阻器和信道选择多路复用器的等效电阻; 500欧姆
采样电容在采样和保持电路。电容器C1是从输入正常断开，并且仅
连接到它的采样时间;为1pF
图10-22的等效电路进行A / D装载
10.17功耗
本节提供了可用于优化功耗对于给定的附加细节
应用程序。
功耗由下式给出以下等式：
总功率=
A:
+B:
+C:
+D:
+E:
内部[静态组件]
内部[状态依赖组件]
内部[动态组件]
外部[动态组件]
外部[静态]
A中，内部[静态成分] ，由直流偏置电流的振荡器，漏电流，
PLL和电压基准。处理器状态或操作这些资源独立运作
频率。
乙，内部[状态依赖性成分] ，反映了某些片上所需的电源电流
资源只在这些资源是在使用中。这些包括RAM，闪存存储器和ADC 。
C，内部[动态组件] ，是经典的C * V
2
* F的CMOS的功耗相对应的
56800E内核和标准单元逻辑。
D，外部[动态组件] ，反映了电力消耗芯片上的电容性负载的结果
在芯片的外部引脚。这通常也被描述为C * V
2
*女，虽然在两个模拟
在设备上使用的IO的细胞类型中显示，该电抗负载曲线确实有一个非零
Y轴截距。
56F8365技术数据，版本7
164
飞思卡尔半导体公司
初步
