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SUM55P06-19L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.2
1.9
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
50
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
75
I
D
= 10毫安
72
100
V
（ BR ） DSS
(V)
I
DAV
(a)
69
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
66
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.0001
0.001
0.01
t
in
（秒）
0.1
1
63
60
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 73059
S- 41778 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
