30CTH02SPbF ， 30CTH02-1PbF
公告PD- 21071转。一
12/06
180
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
F（ AV ）
170
DC
RMS限制
160
方波（ D = 0.50 ）
150
额定Vr的应用
见说明（ 2 ）
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
140
25
平均正向电流 - I
(A)
0
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
5
10
15
20
25
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
图。 6 - 正向功率损耗特性
100
IF = 15 A
1000
IF = 15 A
QRR （ NC ）
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
TRR （ NS ）
100
V
R
= 390V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
100
1000
10
100
1000
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
; PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图8） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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